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欧共体SI7 100V 9.3A 5.2W MOSFET SI7456DP-T1-GE3
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重要属性
行业属性
型号
SI7456DP-T1-GE3
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
original brand
封装类型
-
其他属性
安装类型
SMD/SMT
描述
晶体管
原产地
California, United States
封装/外壳
TO-247-3
D/C
-
应用
-
品名
SI7456DP-T1-GE3
安装方式
SMD/SMT
FET 功能
-
配置
-
应用
-
零件号
SI7456DP-T1-GE3
包装/案例:
PowerPAK-SO-8
频道数量:
1频道
Vds-漏源击穿电压:
100 V
Id-连续漏极电流:
9.3 A
Rds导通-漏-源电阻:
25 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:
-20 V, + 20 V
Vgs th-栅极-源极阈值电压:
2 V
Qg-栅极电荷:
44数控
工作温度
-55 C至 + 150 C
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | > 1000 |
| 美国东部时间（天） | 5 | 待定 |
定制
外包裝定制
最小起订量: 99999
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