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EC-Mart n沟道通孔MOSFET IRF1010E晶体管IRF1010EPBF
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重要属性
其他属性
原产地
California, United States
品牌
EC Mart
型号
IRF1010E
安装类型
SMD/SMT
描述
原件
产品名称
IRF1010E
包装/案例
TO-220-3
晶体管极性
N通道
Vds-漏源击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
84 A
Rds上-漏-源电阻
12 mOhms
Vgs-栅极-源极电压
-20 V, + 20 V
最低工作温度
-55摄氏度
最高工作温度
+ 175摄氏度
Pd-功耗
200瓦
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | > 1000 |
| 美国东部时间（天） | 5 | 待定 |
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外包裝定制
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