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      EC-Mart n沟道超级沟槽功率MOSFET NCEP85T16

      暂无评价4 笔订单
      EC Mart Trading (Shenzhen) Limited7 yrsCN
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      重要属性

      行业属性

      型号
      NCEP85T16
      种类
      金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
      品牌
      original
      封装类型
      /

      其他属性

      安装类型
      通孔
      描述
      MOSFET
      原产地
      Guangdong, China
      封装/外壳
      /
      系列
      NCEP85T16
      D/C
      新建
      品名
      NCEP85T16
      电流 - 集电极（Ic）（最大值）
      -
      电压 - 集射极击穿（最大值）
      --
      不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
      -
      电流 - 集电极截止（最大值）
      -
      不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
      -
      功率 - 最大值
      -
      频率 - 跃迁
      -
      操作温度
      -
      安装方式
      /
      电阻器 - 基底（R1）
      --
      电阻器 - 发射极基底（R2）
      -
      FET 类型
      -
      FET 功能
      --
      电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
      -
      不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
      -
      不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
      -
      不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
      -
      不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
      -
      响应频率(Hz)
      -
      额定电流
      -
      噪声系数
      -
      功率-输出
      --
      驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
      --
      IGBT 类型
      -
      配置
      -
      不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
      -
      不同 Vce 时的输入电容（Cies）
      -
      输入
      -
      NTC 热敏电阻
      -
      电压 - 击穿（V（BR）GSS）
      -
      不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
      -
      不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
      -
      电阻 - RDS（开）
      -
      电压
      -
      电压-输出
      -
      电压 - 偏移（Vt）
      -
      电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
      -
      电流 - 谷值（Iv）
      -
      电流 - 峰值
      -
      应用
      -
      晶体管极性:
      N通道
      包装/案例:
      TO-220
      产品名称:
      NCEP85T16
      类型:
      MOSFET

      包装和发货信息

      Packaging Details
      ESD/真空/泡沫/纸箱
      Port
      Shenzhen / Hongkong

      供应能力

      供应能力
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      供应商的产品说明

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