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DFN-8 CDF56G6511N TR13无PBFREE

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重要属性

行业属性

型号
CDF56G6511N TR13 PBFREE
种类
GaN FETs
品牌
EC-Mart
封装类型
标准

其他属性

安装类型
SMD/SMT
描述
GaN FETs
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
DFN-8
系列
GaN FETs
D/C
新建
供应类型
原始制造商, ODM, 代理机构, 零售商, 其他
品名
CDF56G6511N TR13 PBFREE
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
-
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
-
电流 - 集电极截止(最大值)
-
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
--
功率 - 最大值
-
频率 - 跃迁
-
操作温度
-
电阻器 - 基底(R1)
-
电阻器 - 发射极基底(R2)
-
FET 类型
-
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
-
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
-
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
Vgs(最大值)
-
IGBT 类型
-
配置
-
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
-
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
-
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
-
漏极电流(Id) - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
-
电阻 - RDS(开)
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移(Vt)
--
电流 - 栅极至阳极漏(Igao)
-
电流 - 谷值(Iv)
-
电流 - 峰值
-
应用
-
P/N
CDF56G6511N TR13 PBFREE
通道模式:
消耗
配置:
单人
下降时间:
4纳秒
Id-连续漏极电流:
11.5 A
最大工作频率:
100 KhZ
最高工作温度:
+ 150 C
最低工作频率:
0Hz
最低工作温度:
-55摄氏度
安装方式:
SMD/SMT

交货时间

供应商的产品说明

100 - 999 pieces
¥2.24
>= 1000 pieces
¥1.59

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