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欧共体30 V 8-VSONP n沟道MOSFET晶体管CSD17578Q3A

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重要属性

其他属性

原产地
California, United States
品牌
original brand
型号
CSD17578Q3A
安装类型
SMD/SMT
描述
ICs
产品名称:
CSD17578Q3A
包装/案例:
VSONP-8
晶体管极性:
N通道
频道数量:
1频道
Vds-漏源击穿电压:
30 V
Id-连续漏极电流:
20 A
Rds导通-漏-源电阻:
7.3 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:
-20 V, + 20 V
Vgs th-栅极-源极阈值电压:
1.1 V
Qg-栅极电荷:
17.1 nC

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