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分立半导体分配器N通道N-CH 75V 10A 100A至220晶体管MOSFET AOT470
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
AOT470
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
New and Original
封装类型
表面贴片封装
其他属性
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-220-3
D/C
21 +
应用
MOSFET 驱动器
供应类型
供应商, 分销商, 批发商
可参考资料
数据表, 照片
品名
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) n沟道75V 10A TO220
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
标准
电压 - 集射极击穿（最大值）
标准
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
标准
电流 - 集电极截止（最大值）
标准
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
标准
功率 - 最大值
1.1W
频率 - 跃迁
标准
操作温度
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
标准
电阻器 - 发射极基底（R2）
标准
FET 类型
N-Channel
FET 功能
逻辑电平栅极，4.5 V 变频器
漏源电压（Vdss）
75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10A (Ta) 、100A (Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
10.5毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
136nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
5640pF @ 30V
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
Vgs（最大值）
± 25V
IGBT 类型
标准
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
标准
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
标准
输入
标准
NTC 热敏电阻
标准
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
标准
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
标准
漏极电流（Id） - 最大值
标准
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
标准
电阻 - RDS（开）
标准
电压
标准
电压-输出
标准
电压 - 偏移（Vt）
标准
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
标准
电流 - 谷值（Iv）
标准
电流 - 峰值
标准
应用
标准
付款
Paypal \ TT \ 西联汇款 (Western Union) \ 贸易保证
运输
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ 香港邮政
交货时间
在5天内
最小起订量
2件
条件
原100%
质量
100% 原装100% 品牌
使用示例
供应
证书
CE ROHS
价格
负担得起的
服务
24/7
包装和发货信息
Packaging Details
Blister,plastic box,bulk packaing
Port
Shenzhen
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
10X10X10 厘米
单品毛重：
0.500 公斤
供应能力
供应能力
10000000 件 per Month
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | 1001 - 10000 | 10001 - 100000 | > 100000 |
| 美国东部时间（天） | 1 | 1 | 1 | 待定 |
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