封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm宽度)
工作环境温度
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
品名
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
3V @ 800mA, 8A
电流 - 集电极截止(最大值)
5uA (ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
55 @ 1A, 5V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
12A (Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
11mOhm @ 12A, 20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
39nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2600pF @ 15V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V, 20V
付款
T/T,西联汇款,PayPal,信用卡,L/C
Cetificate
ISO9001、ISO14001、Rohs