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DYD晶体管2SB688 B688 2SD718 D718音频功率放大器三极管晶体管电子元件集成电路
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重要属性
行业属性
型号
2SB688
种类
Transistor, Triode Transistor
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
原产地
Guangdong, China
D/C
21+
应用
MOSFET 驱动器
可参考资料
数据表
品名
2SB688
电压 - 集射极击穿（最大值）
/
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
/
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
/
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装方式
N/A, Throught Hole
电阻器 - 基底（R1）
/
电阻器 - 发射极基底（R2）
/
FET 功能
碳化硅
漏源电压（Vdss）
/
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
/
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
/
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
/
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
/
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
/
响应频率(Hz)
/
额定电流
/
噪声系数
/
功率-输出
/
电压-额定
/
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
/
Vgs（最大值）
/
IGBT 类型
/
配置
/
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
/
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
/
输入
/
NTC 热敏电阻
/
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
/
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
/
漏极电流（Id） - 最大值
/
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
/
电阻 - RDS（开）
/
电压
/
电压-输出
/
电压 - 偏移（Vt）
/
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
/
电流 - 谷值（Iv）
/
电流 - 峰值
/
应用
/
Transistor Type
PNP
Package
TO-3P
Collector-Base Voltage
-160V
Collector-Emitter Voltage
-120V
包装和发货信息
Packaging Details
全新和原装，工厂密封包装，将包装在以下包装类型之一: 管，托盘，胶带和卷轴，胶带和盒子，散装包装，袋子等。请与我们联系以获取更多详细信息。
Port
shenzhen
交货时间
| 数量 (pairs) | 1 - 2000 | > 2000 |
| 美国东部时间（天） | 7 | 待定 |
