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DYD新D313 2SD313-Y TO-220三极管NPN晶体管
暂无评价
Shenzhen Dyd Technology Co., Ltd.
3 yrs
CN
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重要属性
行业属性
型号
2SD313
种类
-
封装类型
-
其他属性
安装类型
Custom
原产地
usa
D/C
2021
应用
-
供应类型
原厂原装, 代理, Other
可参考资料
照片, Other, 数据表
品名
2SD313
电压 - 集射极击穿(最大值)
-
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
-
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
-
操作温度
-, 55 150
安装方式
-, Through Hole
电阻器 - 基底(R1)
-
电阻器 - 发射极基底(R2)
-
FET 类型
-, N-Channel
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
-
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
-
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
Vgs(最大值)
-
IGBT 类型
-
配置
-
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
-
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
-
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
-
漏极电流(Id) - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
-
电阻 - RDS(开)
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移(Vt)
-
电流 - 栅极至阳极漏(Igao)
-
电流 - 谷值(Iv)
-
电流 - 峰值
-
应用
-
Part Status
Active
Technology
MOSFET
Data Code
Latest Details
Payment way
all accept
Supplier Device Package
TO-220
Packaging
Tube
Warranty
365days
包装和发货信息
Packaging Details
出口包装
Port
shenzhen
供应能力
供应能力
87878 件 per Month
展开
交货时间
数量 (pieces)
1 - 100
> 100
美国东部时间(天)
5
待定
定制
外包裝定制
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