DTP10N65SJ 650V 10A功率Mosfet 0.5欧姆晶体管芯片电子晶体管SJ FET
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重要属性
行业属性
型号
DTP10N65SJ
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Din-Tek
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
Throught hole
描述
SuperJunction Power Mosfet
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-220
类型
Single N Channel
工作环境温度
25 °C-150 °C
系列
TO-220
D/C
Standard
应用
Power Supply
供应类型
原厂原装, 代理
可参考资料
数据表, 照片
品名
DTP10N65SJ
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
Standard
电压 - 集射极击穿（最大值）
Standard
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
Standard
电流 - 集电极截止（最大值）
Standard
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
Standard
功率 - 最大值
Standard
频率 - 跃迁
Standard
操作温度
Standard
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
Standard
电阻器 - 发射极基底（R2）
Standard
FET 类型
SuperJunction Power Mosfet
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
Standard
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
Standard
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
Standard
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
Standard
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
Standard
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
Standard
响应频率(Hz)
Standard
额定电流
Standard
噪声系数
Standard
功率-输出
Standard
电压-额定
Standard
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
Standard
Vgs（最大值）
Standard
配置
Standard
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
Standard
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
Standard
输入
Standard
NTC 热敏电阻
Standard
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
Standard
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
Standard
漏极电流（Id） - 最大值
Standard
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
Standard
电阻 - RDS（开）
Standard
电压
Standard
电压-输出
Standard
电压 - 偏移（Vt）
Standard
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
Standard
电流 - 谷值（Iv）
Standard
电流 - 峰值
Standard
应用
Standard
晶体管类型
TO-220
Brand
Din-Tek Semiconductor
Package
TO-220
VDS (V)
650V
VGS ±(V)
30V
VGS(th)(V)
2V
Type
Single N Channel Mosfet
RDS(ON) (Ω) at VGS=10V
0.5
ID (A)
10
Lead time
3-5 Days
Warranty
2 Years
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 7 | 待定 |
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