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DMN2215UDM-7功率晶体管Mosfet阵列20V 2A 650mW表面贴装SOT-26 mosfet晶体管
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
DMN2215UDM-7
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original brand
封装类型
SOT-23-6
其他属性
安装类型
Surface Mount
描述
MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT-26
原产地
Original
封装/外壳
SOT-23-6
类型
Transistors
工作环境温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
MOSFET Arrays transistors
D/C
Newest
应用
通用
供应类型
零售商
相似属性可替代料号
DMN2215UDM7
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。
品名
Transistors
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
2A
电压 - 集射极击穿（最大值）
20V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
Standard
电流 - 集电极截止（最大值）
2A
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
Standard
功率 - 最大值
650mW
频率 - 跃迁
Standard
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底（R1）
Standard
电阻器 - 发射极基底（R2）
Standard
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
100mOhm @ 2.5A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
188pF @ 10V
响应频率(Hz)
Standard
额定电流
2A
噪声系数
Standard
功率-输出
650mW
电压-额定
20V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
20v
Vgs（最大值）
20v
IGBT 类型
Standard
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
Standard
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
Standard
输入
Standard
NTC 热敏电阻
Standard
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
20v
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
2A
漏极电流（Id） - 最大值
2A
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
Standard
电阻 - RDS（开）
Standard
电压
20V
电压-输出
20V
电压 - 偏移（Vt）
20V
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
2A
电流 - 谷值（Iv）
2A
电流 - 峰值
2A
应用
General Purpose
晶体管类型
Original
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250uA
Channel Mode
Enhancement
REACH Status
REACH Unaffected
Product
MOSFET Small Signal
RoHS Status
ROHS3 Compliant
PIN COUNT
6
Standard Package
3000pcs/Reel
包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
19X19X10 厘米
单品毛重：
1.000 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 3000 | > 3000 |
| 美国东部时间（天） | 15 | 待定 |
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