描述
MOSFET p-ch 60v 900MA SOT23-3
封装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
工作环境温度
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
应用
MOSFET p-ch 60v 900MA SOT23-3
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
-
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
-
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
900mA (Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
400mOhm @ 900mA, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.9 nC @ 10 V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
219 pF @ 30 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
-
应用
MOSFET p-ch 60v 900MA SOT23-3
包装
磁带和卷轴 (TR),切割磁带 (CT),数字卷轴
驱动电压 (最大Rds On,最小Rds On)
4.5V, 10V
包装/案例
TO-236-3、SC-59、SOT-23-3