描述
MOSFET N CH 12v 11A U-DFN2020-6E
工作环境温度
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
应用
MOSFET N CH 12v 11A U-DFN2020-6E
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
-
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
-
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
11A (Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
10mOhm @ 9.7A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
50.6 nC @ 8 V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2425 pF @ 10 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
-
应用
MOSFET N CH 12v 11A U-DFN2020-6E
包装
磁带和卷轴 (TR),切割磁带 (CT),数字卷轴
驱动电压 (最大Rds On,最小Rds On)
1.2V, 4.5V