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Chiptime原装Mosfet晶体管n沟道200V 18A IRF640 IRF640N IRF640NPBF
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重要属性
行业属性
型号
IRF640NPBF
种类
Standard
品牌
Original
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
标准
描述
标准
原产地
Johor, Malaysia
封装/外壳
标准
类型
标准
工作环境温度
标准
系列
标准
D/C
22 +
应用
通用
供应类型
原厂原装, ODM
可参考资料
数据表, 照片
品名
IRF640N
电压 - 集射极击穿（最大值）
标准
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
标准
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
标准
功率 - 最大值
标准
频率 - 跃迁
标准
电阻器 - 基底（R1）
标准
电阻器 - 发射极基底（R2）
标准
FET 功能
--
漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
标准
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
标准
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
标准
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
标准
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
标准
Vgs（最大值）
标准
IGBT 类型
标准
配置
标准
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
--
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移（Vt）
--
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
-
提前期
1天
保修
365天
无铅状态
符合RoHS标准
直流
新建
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 1 | 待定 |
定制
外包裝定制
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