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中国供应商n沟道mosfet功率电子元件mosfet晶体管
5.0(4 评价)5 笔订单
重要属性
行业属性
型号
DTS2302
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Din-Tek
封装类型
SOT-23
其他属性
描述
DTS2302
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
SOT-23
D/C
标准
应用
标准
供应类型
原厂原装, ODM, 代理
可参考资料
数据表, 照片
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
标准
电压 - 集射极击穿（最大值）
标准
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
标准
电流 - 集电极截止（最大值）
标准
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
标准
功率 - 最大值
标准
频率 - 跃迁
标准
操作温度
标准
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底（R1）
标准
电阻器 - 发射极基底（R2）
标准
FET 类型
标准
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
标准
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
标准
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
标准
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
标准
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
标准
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
标准
Vgs（最大值）
标准
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
标准
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
标准
输入
标准
NTC 热敏电阻
标准
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
标准
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
标准
漏极电流（Id） - 最大值
标准
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
标准
电阻 - RDS（开）
标准
电压
标准
电压-输出
标准
电压 - 偏移（Vt）
标准
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
标准
电流 - 谷值（Iv）
标准
电流 - 峰值
标准
应用
标准
包
SOT-23
VDS (V)
20
VGS ±(V)
8
VGS(th)(V)
0.7
RDS(ON) (m Ω) VGS = 2.5V
33
RDS(ON) (m Ω) VGS = 4.5V
26
ID (A)
2.9
付款
Paypal \ TT \ 西联汇款 (Western Union) \ 贸易保证
交货时间
3-5天
品牌
Din-Tek
包装和发货信息
Packaging Details
中国供应商n沟道mosfet功率电子元件mosfet晶体管
Port
Shenzhen/Hong kong
供应能力
供应能力
10000 件 per Week
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 7 | 待定 |
定制
LOGO定制
最小起订量: 1000
如需了解更多定制细节， 私信供应商
供应商的产品说明
>= 1 pieces
¥2.17
数量
物流
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