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CGH40120F CGH40120 (120 W射频功率GaN HEMT) 场效应晶体管CGH40120F
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重要属性
行业属性
型号
CGH40120F
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original Brand
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
Through Hole
描述
/
原产地
China
封装/外壳
/
类型
Field-Effect Transistor
工作环境温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
D/C
In-Stock
供应类型
原厂原装
相似属性可替代料号
2SJ6920
可参考资料
数据表, 照片
品名
RF MOSFET HEMT 28V 440193
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
15A
电压 - 集射极击穿（最大值）
250V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
202A
电流 - 集电极截止（最大值）
0.5A
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
75 @ 3A, 5V
功率 - 最大值
333
频率 - 跃迁
30MHz
安装方式
other
电阻器 - 基底（R1）
110Ω
电阻器 - 发射极基底（R2）
200Ω
FET 类型
N-Channel
FET 功能
不适用
漏源电压（Vdss）
55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
110A (Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
290m0hm 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V 250HA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
54nC 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1500pF 25V
响应频率(Hz)
0Hz ~ 4GHz
额定电流
28A
噪声系数
-
功率-输出
120W
电压-额定
84V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
Vgs（最大值）
±20V
IGBT 类型
-
配置
不适用
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
18 A
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
52 mOhms
电压
55V
电压-输出
40V
电压 - 偏移（Vt）
40V
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
other
Lead Free Status
RoHS Compliant
Datasheet
Available
BOM Service
Available
Vacuum Package
Available
Brand Name
NO brand
Dadecode
Newest
包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
10X8X5 厘米
单品毛重：
0.500 公斤
供应能力
供应能力
86000000 件 per Month
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | 1001 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 7 | 12 | 待定 |
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最大订购数量： 1 pieces
样品价格：
¥71.90/pieces
