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Bom列表电子集成电路芯片元件新原装n沟道MOS场效应管至220 IRFB4227 IRFB4227PBF
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
IRFB4227PBF
种类
Field-Effect Transistor
品牌
IR
封装类型
Other
其他属性
描述
Integrated Circuit
原产地
/
封装/外壳
standard
系列
/
D/C
/
应用
/
供应类型
原厂原装
相似属性可替代料号
/
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
standard
电压 - 集射极击穿（最大值）
standard
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
standard
电流 - 集电极截止（最大值）
standard
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
standard
功率 - 最大值
standard
频率 - 跃迁
standard
操作温度
standard
安装方式
螺栓安装
电阻器 - 基底（R1）
standard
电阻器 - 发射极基底（R2）
standard
FET 类型
standard
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
standard
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
standard
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
standard
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
standard
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
standard
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
standard
响应频率(Hz)
standard
额定电流
standard
噪声系数
standard
功率-输出
standard
电压-额定
standard
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
standard
Vgs（最大值）
standard
IGBT 类型
standard
配置
standard
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
standard
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
standard
输入
standard
NTC 热敏电阻
standard
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
standard
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
standard
漏极电流（Id） - 最大值
standard
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
standard
电阻 - RDS（开）
standard
电压
standard
电压-输出
standard
电压 - 偏移（Vt）
standard
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
standard
电流 - 谷值（Iv）
standard
电流 - 峰值
standard
应用
/
Part
IRFB4227PBF
Packing
Reel Packing
Payment
T/T
Warranty
90 Days
LEAD TIME
1-3 Days
Quality
100% Original 100% Brand
MOQ
10 Pieces
Price
Lowest
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | > 1000 |
| 美国东部时间（天） | 7 | 待定 |
