Bipolar (BJT) Transistor PNP -150 V 200MHz Through Hole TO-92 Transistor Original 2N5401
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
2N5401
种类
Single Bipolar Transistors
品牌
HYST
封装类型
-
其他属性
安装类型
Through Hole
描述
TRANS PNP EBC -0.6A -150V TO-92
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-226-3, TO-92-3
类型
Single Bipolar Transistors
工作环境温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
Transistor
D/C
-
应用
-
相似属性可替代料号
-
可参考资料
EDA/CAD 模型。
品名
2N5401
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
-150 V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
-
电流 - 集电极截止（最大值）
-
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
-
功率 - 最大值
-
频率 - 跃迁
200MHz
操作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 类型
-
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
Vgs（最大值）
-
IGBT 类型
-
配置
-
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
-
晶体管类型
PNP
Product Name
2N5401
Part Number
Transistors
Type
Single Bipolar Transistors
PAYMENT
T/T
Shipping BY
DHL
Service
Bom List
Quality
100% Original 100% Brand
Packaging Details
Standard Tube
Other Services
One Stop Bom Service
More Details
Please Consult Us
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 50 | 51 - 200 | > 200 |
| 美国东部时间（天） | 7 | 10 | 待定 |
供应商的产品说明
1 - 199 pieces
¥3.06
200 - 499 pieces
¥1.89
>= 500 pieces
¥1.53
数量
物流
所选数量暂无运输解决方案商品总计（0 种规格 0 件商品)
$0.00
运费总计
$0.00
小计
$0.00
商品保障
商品保障
安全支付![]()
您在阿里巴巴国际站的每一笔支付，都通过SSL加密协议及PCI DSS数据保护协议保障支付安全
退款政策![]()
如果您购买的商品未送达、有缺陷或损坏，您可以申请退款
阿里巴巴国际站通过信用保障服务为您在平台上支付的所有订单提供保护