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BOM列表服务STACKPOLE IKW75N65EH5 K75EEH5 K75EEL5至-247-3焊接常用大功率IGBT晶体管
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重要属性
行业属性
型号
IKW75N65EH5
种类
IGBT晶体管
品牌
STACKPOLE
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
倾角
描述
IGBT晶体管
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-247-3
类型
IGBT晶体管
工作环境温度
125C
系列
IGBT晶体管
D/C
最新
应用
功率放大器应用
供应类型
零售商
可参考资料
数据表
品名
晶体管
电压 - 集射极击穿（最大值）
-
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
-
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
-
操作温度
-
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 功能
碳化硅
漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
Vgs（最大值）
-
IGBT 类型
-
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
--
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
通用
晶体管类型
线性稳压器
描述
MOSFET
包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
10X10X5 厘米
单品毛重：
0.020 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 50 | > 50 |
| 美国东部时间（天） | 5 | 待定 |
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样品价格：
₹42.45/pieces
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