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APT 4065 Mosfet晶体管n沟道400 V 11A (Tc) 180W (Tc) DIP APT4065BNG
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
APT4065BNG
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original
封装类型
Through Hole
其他属性
描述
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) n沟道400V 11A TO247AD
原产地
China
封装/外壳
TO-247-3
D/C
新的
应用
Mosfet晶体管
可参考资料
数据表
品名
APT4065BNG
功率 - 最大值
180W (Tc)
操作温度
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
安装方式
引脚直插式封装
FET 类型
N-Channel
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
400 V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
11A (Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
650毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
55数控 @ 10 V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
950 pF @ 25 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
Vgs（最大值）
± 30V
应用
-
品牌
原
备货期
3-5day
送货地址
深圳
包装和发货信息
Packaging Details
New and Original, factory sealed packing, it will be pack in one of these packing type: Tube, Tray, Tape and Reel, Tape and Box, Bulk packing, Bag and etc. Please kindly contact us for more details.
Port
Shenzhen
供应能力
供应能力
10000 件 per Week
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 待定 |
定制
PCBA
最小起订量: 1
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