AP3N9R5MT n沟道MOSFET晶体管30V 37.8a标记3N9R5 PMPAK-5x6
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重要属性
行业属性
型号
original
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
original
封装类型
表面贴片封装
其他属性
描述
PMPAK-5x6
原产地
China
封装/外壳
PMPAK-5x6
D/C
NEW
应用
晶体管
供应类型
原始制造商
可参考资料
数据表
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
标准
电压 - 集射极击穿（最大值）
标准
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
标准
电流 - 集电极截止（最大值）
标准
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
标准
功率 - 最大值
标准
频率 - 跃迁
标准
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底（R1）
标准
电阻器 - 发射极基底（R2）
标准
FET 类型
标准
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
标准
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
标准
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
标准
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
标准
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
标准
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
标准
Vgs（最大值）
标准
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
标准
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
标准
输入
标准
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
标准
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
标准
漏极电流（Id） - 最大值
标准
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
标准
电压-输出
标准
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
标准
电流 - 峰值
标准
D/C
新建
规格
AP3N9R5MT
包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
15X10X2 厘米
单品毛重：
0.030 公斤
交货时间
供应商的产品说明
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