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AON6560 DFN 5x6金属氧化物半导体场效应晶体管

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重要属性

行业属性

型号
CD4093BM
种类
标准
品牌
EIECHIP
封装类型
表面贴片封装

其他属性

安装类型
表面贴装型
描述
/
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
14-SOIC
类型
晶体管
工作环境温度
-55 °C ~ 125 °C
系列
标准
D/C
2017
应用
晶体管
供应类型
原厂原装
可参考资料
数据表
品名
晶体管
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
标准
电压 - 集射极击穿(最大值)
标准
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
标准
电流 - 集电极截止(最大值)
标准
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
标准
功率 - 最大值
标准
频率 - 跃迁
标准
电阻器 - 基底(R1)
标准
电阻器 - 发射极基底(R2)
标准
FET 类型
标准
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
标准
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
标准
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
标准
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
标准
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
标准
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
标准
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
标准
Vgs(最大值)
标准
配置
标准
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
标准
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
标准
输入
标准
NTC 热敏电阻
标准
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
标准
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
标准
漏极电流(Id) - 最大值
标准
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
标准
电阻 - RDS(开)
标准
电压
标准
电压-输出
标准
电压 - 偏移(Vt)
标准
电流 - 栅极至阳极漏(Igao)
标准
电流 - 谷值(Iv)
标准
电流 - 峰值
标准
应用
标准
电源电压
电压
装运方式
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
填料
密封
电流-输出高、低
3.4mA,3.4mA
电压供电
3V ~ 18V
包装
SOP14
应用程序
/
协处理器/DSP
/

交货时间

数量 (pieces)1 - 100 > 100
美国东部时间(天)3待定

供应商的产品说明

最低起订量: 1 pieces
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