描述
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) n沟道100V 14.5A/46A 8DFN
供应类型
原厂原装, ODM, 代理, 零售商, 其他
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。, 其他
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
作为数据表
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
作为数据表
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
作为数据表
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
作为数据表
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
作为数据表
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
作为数据表
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
作为数据表
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
标准
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
标准
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是的,15年的经验,在电子元件.
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