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AO4468 4468 10A 30V AO4466 4466 8.5A 30V AO4485 4485 11A 40V AO4486 4486 4.2A 100V SOP-8晶体管，用于DC/DC转换器
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
AO4466
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
JSMSEMI
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
SMD
描述
10A 30V Mosfet
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
SOP-8
类型
SMD
工作环境温度
-55-150C
系列
AO4468
D/C
2024
应用
高频
供应类型
原厂原装
可参考资料
数据表, 照片
品名
30V Mosfet
电压 - 集射极击穿（最大值）
30V
电流 - 集电极截止（最大值）
10A
功率 - 最大值
2.8W
频率 - 跃迁
0
操作温度
-55-150C
安装方式
表面贴片封装
FET 类型
MOS
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
30V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
0
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
10A
响应频率(Hz)
0
额定电流
10A
功率-输出
2.8W
电压-额定
30V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
30V
Vgs（最大值）
30V
IGBT 类型
MOS
配置
双，通用光源
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
10A
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
30V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
10A
漏极电流（Id） - 最大值
10A
电压
30V
电压-输出
30V
电压 - 偏移（Vt）
30V
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
10A
电流 - 谷值（Iv）
10A
电流 - 峰值
10A
应用
电源供应商
晶体管类型
MOS
包装和发货信息
销售单位：
多个 3000
每批包装尺寸：
38X38X5 厘米
每批毛重：
0.550 公斤
定制
Customized logo
最小起订量: 300000
如需了解更多定制细节， 私信供应商
供应商的产品说明
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包括：
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物流
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最晚交货时间 7月4日
标准型
总运费： 3,000 pieces US$15.64
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