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A1943 1943晶体管2Sc5200 C5200 5200原始放大器Mosfet 2Sc 2Sa5200放大器功率集成电路2Sa1943 5200 mosfet
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重要属性
行业属性
型号
2sc5200 2sa1943 original
种类
其他
品牌
Original
封装类型
TO-3PL
其他属性
描述
全新原装
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-226-3，TO-92-3 (TO-226AA)
D/C
22 +
应用
Pcb板
供应类型
原厂原装, 其他
可参考资料
数据表
品名
晶体管2sc5200 2sa1943
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
60A
电压 - 集射极击穿（最大值）
40V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
1.5V @ 600mA，6A
电流 - 集电极截止（最大值）
50nA (ICBO)
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
100 @ 10mA，1V
功率 - 最大值
208W
频率 - 跃迁
300MHz
操作温度
-65 °C ~ 150 °C (TJ)
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 类型
N-沟道，n沟道
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
100A (Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
7.8毫欧 @ 78A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250UA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
250nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
5600pF @ 25V
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
Vgs（最大值）
± 20V
IGBT 类型
-
配置
-
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
2.4V @ 15V，26A
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
-
PN.
5200金属氧化物半导体场效应晶体管 (mosfet)
包装和发货信息
Packaging Details
原件
Port
shenzhen
供应能力
供应能力
10000 件 per Day
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | 1001 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 1 | 3 | 待定 |
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