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90N09至220 80V 90A n沟道Mosfet smt场效应晶体管

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重要属性

行业属性

型号
transistor 90N09
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
YR
封装类型
表面贴片封装

其他属性

原产地
Jiangsu, China
封装/外壳
To220
应用
电源开关电路
供应类型
原厂原装, ODM, 代理, 零售商, 其他
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。, 其他
品名
晶体管250N04
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
Null
电压 - 集射极击穿(最大值)
Null
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
Null
电流 - 集电极截止(最大值)
Null
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
Null
功率 - 最大值
Null
频率 - 跃迁
Null
操作温度
Null
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底(R1)
Null
电阻器 - 发射极基底(R2)
Null
FET 类型
Null
FET 功能
碳化硅
漏源电压(Vdss)
Null
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
Null
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
Null
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
Null
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
Null
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
Null
响应频率(Hz)
Null
额定电流
Null
噪声系数
Null
功率-输出
Null
电压-额定
Null
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
Null
Vgs(最大值)
Null
IGBT 类型
Null
配置
单排
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
Null
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
Null
输入
Null
NTC 热敏电阻
Null
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
Null
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
Null
漏极电流(Id) - 最大值
Null
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
Null
电阻 - RDS(开)
Null
电压
Null
电压-输出
Null
电压 - 偏移(Vt)
Null
电流 - 栅极至阳极漏(Igao)
Null
电流 - 谷值(Iv)
Null
电流 - 峰值
Null
应用
Null
名称
晶体管90N09
产品名称
降压型DC/DC转换器
芯片架构
P
-颜色使用
车载充电器
To-220
交货时间
3-15天
产地:
江苏,中国 (大陆)
付款
PayPal,Visa,西方联盟,T/T
运输
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ 香港邮政

包装和发货信息

Packaging Details
晶体管90N09 mosfet封装: 50个管中pcas
销售单位:
单一商品
单品包装尺寸:
0.16X0.41X1.49 厘米
单品毛重:
0.003 公斤

交货时间

数量 (pieces)1 - 10000 > 10000
美国东部时间(天)10待定
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₩1,391/pieces

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供应商的产品说明

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₩835
>= 10000 pieces
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