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6英寸8英寸AlGaN/GaN氮化镓晶片,用于微型发光二极管

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重要属性

其他属性

原产地
Shanghai, China
品牌
XINEKHUI
型号
GaN Gallium Nitride Wafer
类型
GaN晶片
晶体结构
六角形
带隙能量
3.4 eV
导热系数
电子迁移率
击穿电压
宽禁带半导体
光学透明度
可见光
化学稳定性
稳定
基板选项
SiC,蓝宝石
汽车激光雷达系统
处理高功率和高频

包装和发货信息

Packaging Details
由PET保护光学膜包装

供应能力

供应能力
1000 件 per Week

交货时间

数量 (pieces)1 - 100 > 100
美国东部时间(天)180待定

定制

LOGO定制
最小起订量: 1000
外包裝定制
最小起订量: 1000
图案定制
最小起订量: 1000

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¥1,449.28
>= 100 pieces
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