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60N60FD1 HZWL IGBT 600V 60A标记TO-3P 60n60 igbt原装mosfet IGBT晶体管SGT60N60FD1 SGT60N60FD1PN 60N60FD1
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
60N60FD1
种类
Single Bipolar Transistors
品牌
Original
封装类型
Through Hole
其他属性
安装类型
Standard, Through Hole
描述
IGBT Transistor, IGBT
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-3P
类型
Transistor
工作环境温度
Standard
系列
IGBT Transistor
D/C
Newest
应用
通用
供应类型
原厂原装, ODM, 代理, 零售商, Other
相似属性可替代料号
-
可参考资料
数据表
品名
60N60FD1
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
Standard
电压 - 集射极击穿（最大值）
Standard
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
Standard
电流 - 集电极截止（最大值）
Standard
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
Standard
功率 - 最大值
Standard
频率 - 跃迁
Standard
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底（R1）
Standard
电阻器 - 发射极基底（R2）
Standard
FET 类型
Standard
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
Standard
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
Standard
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
Standard
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
Standard
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
Standard
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
Standard
响应频率(Hz)
Standard
额定电流
Standard
噪声系数
Standard
功率-输出
Standard
电压-额定
Standard
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
Standard
Vgs（最大值）
Standard
IGBT 类型
Standard
配置
Standard
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
Standard
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
Standard
输入
Standard
NTC 热敏电阻
Standard
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
Standard
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
Standard
漏极电流（Id） - 最大值
Standard
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
Standard
电阻 - RDS（开）
Standard
电压
Standard
电压-输出
Standard
电压 - 偏移（Vt）
Standard
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
Standard
电流 - 谷值（Iv）
Standard
电流 - 峰值
Standard
应用
Standard
晶体管类型
IGBT Transistors
Package
Original Package
SHIPPING WAY
DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS\ARAMEX
Payment Ways
PAYPAL \ TT \ VISA \ Trade Assurance
包装和发货信息
Packaging Details
盒子
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 100000 | > 100000 |
| 美国东部时间（天） | 17 | 待定 |
定制
YP
最小起订量: 10000
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