描述
高速功率开关和逻辑电平, 100% UIS测试和100% Rg测试, 增强雪崩耐用性, 增强的体二极管dv/dt能力, 无铅无卤
品名
AKT95N12M 120v 60A n沟道功率MOSFET
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
60A(TC = 25 ℃), 95A(TC = 100 ℃)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
10毫欧姆
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.4V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
45nC
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3510pF
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.4-2.4V
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
3510pF
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
1-100uA
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
10V
晶体管类型
MOSFET晶体管, N通道, 增强模式