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30 V P 通道功率 Mosfet FDS4435BZ 适用于电源管理
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Shenzhen M&h Electronic Technology Co., Ltd.
6 yrs
CN
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重要属性
行业属性
型号
FDS4435BZ
品牌
Original
封装类型
standard
其他属性
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
品名
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装方式
表面贴片封装
FET 类型
P-Channel
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8.8A (Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
20mOhm @ 8.8A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
40nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1845pF @ 15V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V, 10V
Vgs(最大值)
±25V
Application
please ask salesperson
Package
standard
Type
General
包装和发货信息
Packaging Details
30V P-Channel power Mosfet FDS4435BZ suitable for power management
with standard packing ,good quality
Port
Shenzhen
供应能力
供应能力
5000 件 per Day
展开
交货时间
数量 (pieces)
1 - 4000
> 4000
美国东部时间(天)
3
待定
供应商的产品说明
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