所有类目
精选特集
Trade Assurance
买家中心
帮助中心
获取应用
成为供应商

30 V P 通道功率 Mosfet FDS4435BZ 适用于电源管理

暂无评价

重要属性

行业属性

型号
FDS4435BZ
品牌
Original
封装类型
standard

其他属性

原产地
Guangdong, China
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
品名
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装方式
表面贴片封装
FET 类型
P-Channel
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8.8A (Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
20mOhm @ 8.8A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
40nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1845pF @ 15V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V, 10V
Vgs(最大值)
±25V
Application
please ask salesperson
Package
standard
Type
General

包装和发货信息

Packaging Details
30V P-Channel power Mosfet FDS4435BZ suitable for power management
with standard packing ,good quality
Port
Shenzhen

供应能力

供应能力
5000 件 per Day

交货时间

数量 (pieces)1 - 4000 > 4000
美国东部时间(天)3待定

供应商的产品说明

最低起订量: 50 pieces
¥0.0724 - ¥7.24

数量

物流

所选数量暂无运输解决方案
商品总计(0 种规格 0 件商品)
$0.00
运费总计
$0.00
小计
$0.00

会员权益

1000 美元以下订单极速退款查看详细信息

商品保障

安全支付

您在阿里巴巴国际站的每一笔支付,都通过SSL加密协议及PCI DSS数据保护协议保障支付安全

退款政策

如果您购买的商品未送达、有缺陷或损坏,您可以申请退款