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2SK3878 K3878 MOSFET 9A 900V TO-3P晶体管库存全新和原装好价格
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
2SK3878
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original Brand
封装类型
倾角
其他属性
安装类型
通孔
描述
2SK3878 TO-3P
原产地
Original
封装/外壳
TO-3P
类型
2SK3878 TO-3P
工作环境温度
-55 °C ~ 150 °C
系列
-
D/C
23 +
应用
通用
供应类型
原厂原装
相似属性可替代料号
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可参考资料
数据表
品名
晶体管
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
9A
电压 - 集射极击穿（最大值）
900V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
-
电流 - 集电极截止（最大值）
-
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
-
功率 - 最大值
-
频率 - 跃迁
-
操作温度
-55 °C ~ 150 °C(TJ)
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 类型
-
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
Vgs（最大值）
-
IGBT 类型
--
配置
T-型
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
-
晶体管类型
MOSFET
零件号
88AP270M-BHE1
包装
BGA
提前期
1天
条件
100% 新的和原来的
装运方式
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
付款
T/T，西联汇款，Moneygram，签证
状态
有现货
保修
1年
数据表
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日期代码
最新
供应能力
供应能力
500000 件 per Day
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 20000 | > 20000 |
| 美国东部时间（天） | 2 | 待定 |
