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2N7002P MOSFET 2N-CH 60V 0.32a 6TSSOP功率放大器晶体管
暂无评价
Shenzhen Anterwell Technology Ltd.
10 yrs
CN
重要属性
行业属性
型号
2N7002P
种类
双极晶体管
品牌
original brand
封装类型
表面贴片封装
其他属性
描述
-
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
6-TSSOP
类型
-
工作环境温度
150 °C
系列
-
D/C
最新
应用
不适用
供应类型
原厂原装, 代理, 零售商
品名
晶体管
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
-
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
-
电流 - 集电极截止(最大值)
-
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
-
功率 - 最大值
-
频率 - 跃迁
-
操作温度
150°C
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底(R1)
-
电阻器 - 发射极基底(R2)
-
FET 类型
-
FET 功能
不适用
漏源电压(Vdss)
-
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
-
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
Vgs(最大值)
-
IGBT 类型
-
配置
不适用
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
-
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
-
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
-
漏极电流(Id) - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
-
电阻 - RDS(开)
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移(Vt)
-
电流 - 栅极至阳极漏(Igao)
-
电流 - 谷值(Iv)
-
电流 - 峰值
-
应用
-
晶体管类型
-
六
35 V
IO
内部限制
PD
内部限制
包装
40至 + 150 ℃
类型
其他
船舶
DHL FedEx中国邮政
认证
ISO9001:2015
保函
180天
付款
TT PAYPAL WU
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