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2N7002 MMBT7002 2N7002K 2N7002L 2N7002KL 2N7002BK 2N7002E 2N7002KB 2N7002T 7002小信号MOSFET晶体管3000个/辊
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
2N7002
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
JSMSEMI
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
SOT23
描述
60V MOSFET
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
SOT23
类型
SMD
工作环境温度
-55-150C
系列
2N7002
D/C
2024
应用
MOSFET 驱动器
供应类型
原厂原装
相似属性可替代料号
MMBT7002, 2N7002K, 2N7002L, 2N7002KL, 2N7002BK, 2N7002E, 2N7002KB, 2N7002T, 2N7002MTF-NL, 2N7002ET1G, 2N7002LT1G, 2N7002A-7-F, 2N7002KA, MMBT7002K
可参考资料
数据表, 照片
品名
N-channel MOS
电压 - 集射极击穿（最大值）
60V
电流 - 集电极截止（最大值）
115MA
功率 - 最大值
200MW
操作温度
-55-150C
安装方式
表面贴片封装
FET 类型
MOS
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
115MA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
115MA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
20PF
额定电流
115MA
功率-输出
200MW
电压-额定
60V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0
Vgs（最大值）
60V
IGBT 类型
MOS
配置
不适用
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
115MA
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
60V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
115MA
漏极电流（Id） - 最大值
115MA
电压
60V
电压-输出
6V
电压 - 偏移（Vt）
60V
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
115MA
电流 - 谷值（Iv）
115MA
电流 - 峰值
115MA
应用
Consumer electronics
晶体管类型
N CHANNAL MOS
包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
22X22X4 厘米
单品毛重：
0.150 公斤
定制
LOGO定制
最小起订量: 50
如需了解更多定制细节， 私信供应商
供应商的产品说明
含运费的一口价保证按计划的日期交货退款保证
价格指南 （包含运费）
¥104.35 /rolls，5 rolls起
包括：
¥77.43 产品价格
¥26.92 标准型 运费
物流
经济型
总运费： 5 rolls ¥129.31
最晚交货时间 8月6日
标准型
总运费： 5 rolls ¥134.30
最晚交货时间 7月8日
优选型
总运费： 5 rolls ¥235.97
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