200V 70A n沟道功率MOSFET晶体管247封装符合RoHS标准，用于同步整流
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重要属性
行业属性
型号
AKQH70N20
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
AIKO
封装类型
通孔
其他属性
安装类型
通孔
描述
先进的沟槽技术, 额定雪崩能量, 符合RoHS标准
原产地
Zhejiang, China
封装/外壳
TO-247
类型
MOSFET晶体管
工作环境温度
-55 ℃ ~ + 150 ℃
系列
MOSFET
应用
开关模式电源和电机控制
供应类型
原厂原装, ODM
可参考资料
数据表, 照片
品名
AKQH70N20 200v 70A n沟道功率MOSFET
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
70A(TC = 25 ℃), 45A(TC = 100 ℃)
电压 - 集射极击穿（最大值）
200V
电流 - 集电极截止（最大值）
70A
功率 - 最大值
417瓦
操作温度
-55 °C ~ 150 °C
安装方式
引脚直插式封装
漏源电压（Vdss）
200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
70A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
31毫欧姆
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
65nC
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3870pF
额定电流
70A
电压-额定
200V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2-4V
Vgs（最大值）
120V
配置
单排
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
120V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
1uA
漏极电流（Id） - 最大值
170A
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
10V
电阻 - RDS（开）
4.5毫欧
电压-输出
200V
电压 - 偏移（Vt）
± 25V
电流 - 谷值（Iv）
45A
电流 - 峰值
70A
应用
开关模式电源和电机控制
晶体管类型
MOSFET晶体管, N通道, 增强模式, 先进的沟槽技术
VDSS
200V
VGSS
± 20V
漏极电流 (TC = 25 ℃)
70A
漏极电流 (TC = 100 ℃)
45A
单脉冲雪崩能量
3400mJ
最大功耗 (TC = 25 ℃)
417瓦
关闭延迟时间
65ns
总栅极电荷
65nC
应用程序1
开关模式电源
应用2
同步整流
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 50000 | 50001 - 100000000 | > 100000000 |
| 美国东部时间（天） | 20 | 30 | 待定 |
定制
LOGO定制
最小起订量: 100000
外包裝定制
最小起订量: 100000
图案定制
最小起订量: 100000
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