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16A 650V n沟道功率MOSFET晶体管TO-220F封装中国芯片，用于车载HID镇流器和电动自行车
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
AKF16N65P
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
AIKO
封装类型
TO-220F
其他属性
安装类型
通孔
描述
低本征电容, 优良的开关特性, 扩展安全工作区, 无与伦比的栅极电荷, 100% 雪崩测试
原产地
Zhejiang, China
封装/外壳
TO-220F
类型
MOSFET晶体管
工作环境温度
-55 ℃ ~ + 150 ℃
系列
MOSFET
应用
高效DC至DC转换器
供应类型
原厂原装, ODM
可参考资料
数据表, 照片
品名
AKF16N65P 650v 16A n沟道功率MOSFET
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
16A(TC = 25 ℃), 9.5A(TC = 100 ℃)
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
30V
电流 - 集电极截止（最大值）
16A
功率 - 最大值
60瓦
操作温度
-55 °C ~ 150 °C
安装方式
引脚直插式封装
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
16A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
0.52欧姆
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
63nC
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2450pF @ 25V
额定电流
16A
电压-额定
650V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.0V
Vgs（最大值）
4.0V
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
10V
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
2450pF
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
650V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
10-100uA
漏极电流（Id） - 最大值
16A
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
30V
电阻 - RDS（开）
0.52欧姆 (最大值)
电压-输出
650V
电压 - 偏移（Vt）
± 30V
电流 - 谷值（Iv）
9.5A
电流 - 峰值
16A
应用
快速切换
晶体管类型
MOSFET晶体管, N通道, 增强模式
VDSS
650V
VGSS
± 30V
漏极电流 (TC = 25 ℃)
16A
漏极电流 (TC = 100 ℃)
9.5A
单脉冲雪崩能量
920mJ
最大功耗 (TC = 25 ℃)
60瓦
栅体漏电流，正向
100nA
栅极阈值电压
2-4V
应用程序1
UPS应用
应用2
Dc-dc转换器和ac-dc电源
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 50000 | 50001 - 100000000 | > 100000000 |
| 美国东部时间（天） | 20 | 30 | 待定 |
定制
LOGO定制
最小起订量: 100000
外包裝定制
最小起订量: 100000
图案定制
最小起订量: 100000
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