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12N06 30N06 50n06 55N06 65N06 80N06 60v 100a射频功率mosfet晶体管
5.0(1 review)
重要属性
行业属性
型号
mosfet 60v 100a
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
YR
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
-
描述
mosfet 60v 100a
原产地
Jiangsu, China
封装/外壳
To252
系列
-
D/C
-
应用
电源开关电路
供应类型
原厂原装, ODM, 代理, 零售商, 其他
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。, 其他
品名
自然
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
标准
电压 - 集射极击穿（最大值）
标准
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
标准
电流 - 集电极截止（最大值）
标准
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
标准
功率 - 最大值
标准
频率 - 跃迁
标准
操作温度
Null
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
标准
电阻器 - 发射极基底（R2）
标准
FET 类型
标准
FET 功能
碳化硅
漏源电压（Vdss）
标准
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
标准
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
标准
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
标准
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
标准
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
标准
Vgs（最大值）
标准
IGBT 类型
标准
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
标准
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
标准
输入
标准
NTC 热敏电阻
标准
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
标准
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
标准
漏极电流（Id） - 最大值
标准
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
标准
电阻 - RDS（开）
标准
姓名
mosfet 60v 100a
产品名称
降压dc/DC转换器
芯片架构
P
用法
车载充电器
包装
To-220
提前期
3-15天
产地:
江苏，中国 (大陆)
付款
贝宝，签证，西方，联盟，T/T
装运
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
包装和发货信息
Packaging Details
mosfet 60v 100a
包装: 50个管内pca
包装: 50个管内pca
Port
yantian
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
0.16X0.41X1.49 厘米
单品毛重：
0.100 公斤
供应能力
供应能力
10000 件 per Week
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 10 | 待定 |
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Samples
最大订购数量： 1 pieces
样品价格：
€94.15/pieces
