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1000a 30v n沟道硅功率MOSFET晶体管2SK3523 irfp260n mosfet 1000a功率mosfet
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Shenzhen Kazy Tech Co., Ltd.
3 yrs
CN
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重要属性
行业属性
型号
diode transistors
种类
-
品牌
original
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
-
D/C
22 +
应用
不适用
供应类型
原厂原装
可参考资料
数据表
品名
-
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
-
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
-
电流 - 集电极截止(最大值)
-
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
-
功率 - 最大值
-
频率 - 跃迁
-
操作温度
-
安装方式
不适用
电阻器 - 基底(R1)
-
电阻器 - 发射极基底(R2)
-
FET 类型
-
FET 功能
不适用
漏源电压(Vdss)
-
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
-
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
Vgs(最大值)
-
IGBT 类型
-
配置
不适用
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
-
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
-
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
-
漏极电流(Id) - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
-
电阻 - RDS(开)
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移(Vt)
-
电流 - 栅极至阳极漏(Igao)
-
电流 - 谷值(Iv)
-
电流 - 峰值
-
应用
-
供应能力
供应能力
50000 件 per Week
展开
交货时间
数量 (pieces)
1 - 30000
30001 - 50000
> 50000
美国东部时间(天)
3
5
待定
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¥1.09 - ¥69.33
数量
-
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