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(新原) M3016P晶体管QM3016P
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
QM3016P
种类
IGBT晶体管
品牌
Original
封装类型
Transistor
其他属性
描述
other
原产地
China
封装/外壳
other
系列
other
D/C
other
应用
传声器
供应类型
Transistor
相似属性可替代料号
other
可参考资料
数据表
品名
Original
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
other
电压 - 集射极击穿（最大值）
other
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
other
电流 - 集电极截止（最大值）
other
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
other
功率 - 最大值
other
频率 - 跃迁
other
操作温度
other
安装方式
Transistor
电阻器 - 基底（R1）
other
电阻器 - 发射极基底（R2）
other
FET 类型
Transistor
FET 功能
碳化硅
漏源电压（Vdss）
other
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
other
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
other
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
other
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
other
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
other
响应频率(Hz)
other
额定电流
other
噪声系数
other
功率-输出
other
电压-额定
other
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
other
Vgs（最大值）
other
IGBT 类型
Transistor
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
other
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
other
输入
other
NTC 热敏电阻
other
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
other
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
other
漏极电流（Id） - 最大值
other
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
other
电阻 - RDS（开）
other
电压
other
电压-输出
other
电压 - 偏移（Vt）
other
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
other
电流 - 谷值（Iv）
other
电流 - 峰值
other
应用
other
Payment
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Place of Origin
Johor Malaysia
Delivery detail
In stock
Lowest price
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Shipment
DHL.FEDEX.EMS.UPS..etc
包装和发货信息
Packaging Details
标准包装
Port
HongKong
供应能力
供应能力
300000 件 per Month
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1 | > 1 |
| 美国东部时间（天） | 15 | 待定 |
