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(电子元件) 至-3 15A100V 115W NPN管大功率晶体管2N3055
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
2N3055
种类
ic chips
品牌
original
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
Through Hole
描述
standard
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-3P-3 Full Pack
类型
standard
工作环境温度
150°C (TJ)
系列
standard
D/C
Newest
应用
Other
供应类型
原厂原装, ODM, 代理, 零售商
相似属性可替代料号
-
可参考资料
数据表, 照片
品名
IGBT 600V 50A 150W TO3P
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
50A
电压 - 集射极击穿（最大值）
600v
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
standard
电流 - 集电极截止（最大值）
standard
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
standard
功率 - 最大值
150W
频率 - 跃迁
standard
电阻器 - 基底（R1）
standard
电阻器 - 发射极基底（R2）
standard
FET 类型
standard
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
standard
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
standard
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
standard
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
standard
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
standard
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
standard
响应频率(Hz)
standard
额定电流
standard
噪声系数
standard
功率-输出
standard
电压-额定
standard
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
standard
Vgs（最大值）
standard
IGBT 类型
standard
配置
standard
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
.4V @ 15V, 50A, 2.4V @ 15V, 50A
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
standard
输入
standard
NTC 热敏电阻
standard
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
standard
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
standard
漏极电流（Id） - 最大值
standard
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
standard
电阻 - RDS（开）
standard
电压
standard
电压-输出
standard
电压 - 偏移（Vt）
standard
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
standard
电流 - 谷值（Iv）
standard
电流 - 峰值
standard
应用
standard
晶体管类型
mrf150 rf power transistor
brand
100% new and original
quality guarantee
test report available
package
original with labels
efficient
Prompt Delivery
DATE CODE:
23+
Shipment:
DHL\UPS\FEDEX\EMS\POST
Supplier:
ShenZhen Co., Ltd.
Datasheet:
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包装和发货信息
Packaging Details
ESD/真空/泡沫/纸箱
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
10X10X5 厘米
单品毛重：
0.500 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | 1001 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 180 | 200 | 待定 |
