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      SY芯片集成电路FCH20N60 20N60全新原装600V 20A至247 MOSFET晶体管FCH20N60

      暂无评价3 笔订单
      Shenzhen Sy Chips Technology Co., Ltd.实力供应商5 yrsCN
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      重要属性

      行业属性

      型号
      FCH20N60
      种类
      Mosfet
      品牌
      Original Brand
      封装类型
      引脚直插式封装

      其他属性

      安装类型
      -
      描述
      -
      原产地
      Japan
      封装/外壳
      -
      D/C
      新建
      品名
      FCH20N60
      电流 - 集电极（Ic）（最大值）
      -
      电压 - 集射极击穿（最大值）
      -
      不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
      -
      电流 - 集电极截止（最大值）
      -
      不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
      -
      功率 - 最大值
      -
      频率 - 跃迁
      -
      操作温度
      -
      安装方式
      -
      电阻器 - 基底（R1）
      -
      电阻器 - 发射极基底（R2）
      -
      FET 功能
      -
      漏源电压（Vdss）
      -
      电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
      -
      不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
      -
      不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
      -
      不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
      -
      不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
      -
      响应频率(Hz)
      -
      额定电流
      -
      噪声系数
      -
      功率-输出
      -
      驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
      -
      Vgs（最大值）
      -
      IGBT 类型
      --
      不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
      --
      不同 Vce 时的输入电容（Cies）
      -
      NTC 热敏电阻
      -
      电压 - 击穿（V（BR）GSS）
      -
      不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
      -
      漏极电流（Id） - 最大值
      -
      不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
      -
      产品名称
      FCH20N60
      产品类别
      MOSFET
      包装/案例
      TO-247-3
      频道数量
      1频道
      上升时间
      140纳秒
      关键词
      晶体管
      Vds-漏源击穿电压
      600 V
      Id-连续漏极电流
      20 A
      Rds上-漏-源电阻
      190 mOhms
      单位重量
      38克

      包装和发货信息

      Packaging Details
      Tube
      Port
      Shenzhen
      销售单位：
      单一商品
      单品包装尺寸：
      10X10X10 厘米
      单品毛重：
      0.500 公斤

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