品名
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
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不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
22A (Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
165mOhm @ 11A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
45nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1950pF @ 100V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
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Description
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
Drain to Source Voltage
600V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250uA
Gate Charge @ Vgs
45nC @ 10V
Input Capacitance @ Vds
4V @ 250uA
Power Dissipation (Max)
205W (Tc)
Supplier Device Package
TO-220-3