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QZ 2SJ302原始晶体管MOSFET 60V 16A至263 2SJ302

暂无评价
Shenzhen QZ Industrial Co., Ltd.实力供应商6 yrsCN

重要属性

行业属性

型号
2SJ302
种类
晶体管
品牌
Original brand
封装类型
引脚直插式封装

其他属性

安装类型
-
描述
-
原产地
Original
封装/外壳
TO-220-3
D/C
最新 (发货时随机)
供应类型
其他
相似属性可替代料号
作为数据表
可参考资料
数据表
品名
晶体管MOSFET 60v 16A
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
4 A
电压 - 集射极击穿(最大值)
400 V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
1.5V 1A,3.5A
电流 - 集电极截止(最大值)
250mA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
25 800mA,3V
功率 - 最大值
80瓦
操作温度
150 °C(TJ)
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 发射极基底(R2)
作为数据表
FET 功能
作为数据表
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
作为数据表
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
作为数据表
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
作为数据表
额定电流
作为数据表
功率-输出
作为数据表
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
作为数据表
IGBT 类型
作为数据表
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
作为数据表
输入
作为数据表
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
作为数据表
漏极电流(Id) - 最大值
作为数据表
电阻 - RDS(开)
作为数据表
电压-输出
作为数据表
电流 - 栅极至阳极漏(Igao)
作为数据表
电流 - 峰值
作为数据表
运输方式
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
付款
Paypal \ TT \ 西联汇款 \ 贸易保证

交货时间

数量 (pieces)1 - 500501 - 3000 > 3000
美国东部时间(天)45待定

供应商的产品说明

50 - 199 pieces
SAR 1.72
200 - 499 pieces
SAR 1.53
500 - 999 pieces
SAR 1.34
>= 1000 pieces
SAR 1.23

数量

物流

所选数量暂无运输解决方案
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