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QZ BOM全新原装跨IGBT芯片n-ch 600V 40A至247 K20T60 20N60T IKW20N60T

暂无评价
Shenzhen QZ Industrial Co., Ltd.实力供应商6 yrsCN

重要属性

行业属性

型号
IKW20N60T
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
original brand
封装类型
TO-247

其他属性

安装类型
-
描述
-
原产地
original
封装/外壳
TO-247
D/C
最新
应用
一般放大
供应类型
代理, 零售商
可参考资料
数据表, 照片, 其他
品名
IKW20N60T
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
作为数据表
电压 - 集射极击穿(最大值)
作为数据表
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
作为数据表
电流 - 集电极截止(最大值)
作为数据表
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
作为数据表
功率 - 最大值
作为数据表
频率 - 跃迁
作为数据表
操作温度
作为数据表
安装方式
作为数据表
电阻器 - 基底(R1)
作为数据表
电阻器 - 发射极基底(R2)
作为数据表
FET 类型
作为数据表
FET 功能
作为数据表
漏源电压(Vdss)
作为数据表
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
作为数据表
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
作为数据表
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
作为数据表
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
作为数据表
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
作为数据表
响应频率(Hz)
作为数据表
额定电流
作为数据表
噪声系数
作为数据表
功率-输出
作为数据表
电压-额定
作为数据表
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
作为数据表
Vgs(最大值)
作为数据表
IGBT 类型
作为数据表
配置
作为数据表
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
作为数据表
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
作为数据表
输入
作为数据表
NTC 热敏电阻
作为数据表
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
作为数据表
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
作为数据表
漏极电流(Id) - 最大值
作为数据表
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
作为数据表
电阻 - RDS(开)
作为数据表
电压
作为数据表
电压-输出
作为数据表
条件
新的和原始的。
描述
反式IGBT芯片n-ch 600V 40A 166000mW 3引脚 (3 + Tab) TO-247
保修
180天没有腿焊接。
数据表
可以提供。
注1
包装好,发货快!
附注2
标价仅供参考,24小时报价真实。
附注3
进口报关税费由买方负责!

交货时间

数量 (pieces)1 - 500501 - 30000 > 30000
美国东部时间(天)47待定

定制

外包裝定制
最小起订量: 100000

供应商的产品说明

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>= 101 pieces
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