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IKW20N60T全新原装YC (电子元件集成电路芯片库存) IKW20N60T
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
IKW20N60T
种类
功率晶体管
品牌
Original
封装类型
标准
其他属性
安装类型
标准, 标准
描述
晶体管
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
原来的
类型
MOS
工作环境温度
标准, 标准
系列
MOS
D/C
23 +
应用
标准
供应类型
原来的
相似属性可替代料号
原来的
可参考资料
原来的
品名
IKW20N60T
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
原来的
电压 - 集射极击穿（最大值）
原来的
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
原来的
电流 - 集电极截止（最大值）
原来的
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
原来的
功率 - 最大值
标准
频率 - 跃迁
原来的
操作温度
标准，常温
安装方式
原来的
电阻器 - 基底（R1）
原来的
电阻器 - 发射极基底（R2）
原来的
FET 类型
标准
FET 功能
原来的
漏源电压（Vdss）
原来的
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
标准
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
原来的
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
原来的
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
标准
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
原来的
响应频率(Hz)
原来的
额定电流
原来的
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
原来的
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
原来的
Vgs（最大值）
标准
IGBT 类型
标准
配置
标准
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
原来的
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
标准
输入
标准
NTC 热敏电阻
原来的
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
原来的
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
标准
漏极电流（Id） - 最大值
原来的
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
标准
电压
原来的
电压-输出
原来的
电压 - 偏移（Vt）
原来的
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
原来的
电流 - 谷值（Iv）
原来的
电流 - 峰值
原来的
应用
原来的
晶体管类型
原来的
付款
Paypal \ TT \ 西联汇款 \ 贸易保证
运输方式
DHL \ UPS \ Fedex \ TNT \ EMS \ HK Post
提前期
1-7天
填料
新 * 原包装
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 待定 |
定制
外包裝定制
最小起订量: 10000
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