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IRFP460PBF IRFP460 20A 500V IRFP360PBF IRFP360 23A 400V IRFP350PBF IRFP350 16A 400V至247功率Mosfet晶体管
暂无评价
Shenzhen Kexin Weiye Electronics Co.,ltd.
1 yr
CN
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重要属性
行业属性
型号
IRFP460PBF
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
JSMSEMI
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
TO-247
描述
500V MOS
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-247
类型
TO-247
工作环境温度
-55-150C
系列
IRFP
D/C
2024
应用
电源开关电路
供应类型
原厂原装
相似属性可替代料号
IRFP460
可参考资料
数据表, 照片
品名
500V MOS
电压 - 集射极击穿(最大值)
500V
电流 - 集电极截止(最大值)
20A
功率 - 最大值
280W
操作温度
-55-150C
安装方式
引脚直插式封装
FET 类型
MOS
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
20A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
20A
额定电流
20A
功率-输出
280W
电压-额定
500V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0
Vgs(最大值)
500V
IGBT 类型
MOS
配置
不适用
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
20A
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
500V
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
20A
漏极电流(Id) - 最大值
20A
电压
500V
电压-输出
500V
电压 - 偏移(Vt)
500V
电流 - 栅极至阳极漏(Igao)
20A
电流 - 谷值(Iv)
20A
电流 - 峰值
20A
应用
Power Supply
晶体管类型
500V Power Mosfet
包装和发货信息
销售单位:
多个 450
每批包装尺寸:
60X16X5 厘米
每批毛重:
2.850 公斤
展开
定制
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最小起订量: 4500
如需了解更多定制细节,
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