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原装IRFB4110 MOSFET电子元件IRFB4110PBF单FETs英飞凌技术
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重要属性
行业属性
型号
IRFB4110PBF
种类
IGBT晶体管
品牌
Original Brand
其他属性
安装类型
TH
描述
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
原产地
CHINA
封装/外壳
TO-220-3
D/C
In-Stock
应用
Standard, Electronic Products
供应类型
Other
可参考资料
Other
品名
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
Null
电压 - 集射极击穿（最大值）
Null
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
Null
电流 - 集电极截止（最大值）
Null
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
Null
功率 - 最大值
Null
频率 - 跃迁
Null
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ), Standrad
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
Null
电阻器 - 发射极基底（R2）
Null
FET 类型
N-Channel
FET 功能
Null
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
120A (Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
4.5mOhm @ 75A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250A
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
210nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
9620pF @ 50V
响应频率(Hz)
Null
额定电流
Null
噪声系数
Null
功率-输出
Null
电压-额定
Null
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
Vgs（最大值）
±20V
IGBT 类型
Null
配置
Null
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
Null
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
Null
输入
Null
NTC 热敏电阻
Null
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
Null
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
Null
漏极电流（Id） - 最大值
Null
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
Null
电阻 - RDS（开）
Null
电压
Null
电压-输出
Null
电压 - 偏移（Vt）
Null
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
Null
电流 - 谷值（Iv）
Null
电流 - 峰值
Null
应用
Null
Condition
Original 100%
Quality
High-quality
ROHS
Yes
Payment
TT\Western Union\More
Shipping by
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post\More
Packing
Stand Packing
Moq
1pcs
Price
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cate_name
MOSFET
Datasheet
IRFB4110PBF Infineon Technologies
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | 1001 - 2000 | 2001 - 4000 | > 4000 |
| 美国东部时间（天） | 15 | 25 | 35 | 待定 |
定制
Customized packaging
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如需了解更多定制细节， 私信供应商
供应商的产品说明
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2000 - 3999 pieces
€0.6771
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