所有类目
精选特集
Trade Assurance
买家中心
帮助中心
获取应用
成为供应商
Din-Tek Mosfet部分DTU25P10替代UTT25P10L Smd P沟道Mosfet晶体管
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
DTU25P10
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Din-Tek
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
表面贴装
描述
DTU25P10
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-252
系列
TO-252
D/C
标准
应用
通用
供应类型
原厂原装
可参考资料
数据表
品名
DTU25P10
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
标准
电压 - 集射极击穿（最大值）
标准
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
标准
电流 - 集电极截止（最大值）
标准
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
标准
功率 - 最大值
标准
频率 - 跃迁
标准
操作温度
标准
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底（R1）
标准
电阻器 - 发射极基底（R2）
标准
FET 类型
海沟
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
-100
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-25
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
0.09
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-3
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
34.8
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1043
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
标准
Vgs（最大值）
标准
配置
标准
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
标准
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
标准
输入
标准
NTC 热敏电阻
标准
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
标准
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
标准
漏极电流（Id） - 最大值
标准
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
标准
电阻 - RDS（开）
标准
电压
标准
电压-输出
标准
电压 - 偏移（Vt）
标准
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
标准
电流 - 谷值（Iv）
标准
电流 - 峰值
标准
应用
标准
品牌
Din-tek半导体
零件号
DTU25P10
包装
TO-252
VDS (V)
-100
VGS ±(V)
20
VGS(th)(V)
-2.5
VGS = 10v时的RDS(ON) (m Ω)
80
ID (A)
-25
付款
Paypal \ TT \ 西联汇款 \ 贸易保证
提前期
3-5天
包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
15X15X15 厘米
单品毛重：
0.050 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 7 | 待定 |
还没决定吗？那先下单样品看看！订购样品
Samples
最大订购数量： 10 pieces
样品价格：
€0.1401/pieces
定制
LOGO定制
最小起订量: 1000000
如需了解更多定制细节， 私信供应商
