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EC-Mart BD140双极晶体管SOT-32-3 BJT BD140-16

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重要属性

行业属性

型号
BD140-16
种类
双极晶体管
品牌
original brand
封装类型
表面贴片封装

其他属性

安装类型
SMD/SMT
描述
MOSFET
原产地
California, United States
封装/外壳
原件
系列
BD140-16
D/C
新建
品名
BD140-16
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
--
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
-
电流 - 集电极截止(最大值)
-
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
-
功率 - 最大值
-
频率 - 跃迁
-
操作温度
-
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底(R1)
--
电阻器 - 发射极基底(R2)
-
FET 类型
-
FET 功能
--
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
-
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
--
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
--
IGBT 类型
-
配置
-
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
-
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
-
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
-
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
-
电阻 - RDS(开)
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移(Vt)
-
电流 - 栅极至阳极漏(Igao)
-
电流 - 谷值(Iv)
-
电流 - 峰值
-
应用
-
集电极-发射极电压VCEO Max
80 V
集电极-基极电压VCBO
80 V
发射极-基极电压VEBO
5 V
集电极-发射极饱和电压
500 mV
最大直流集电极电流
1.5 A
Pd-功耗
1.25瓦
最高工作温度
+ 150 C

交货时间

数量 (pieces)1 - 1000 > 1000
美国东部时间(天)5待定

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外包裝定制
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