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2N7002ET1G MOSFET原始N沟道场效应管晶体管，带260mA漏极电流晶体管2N7002ET1G
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重要属性
行业属性
型号
2N7002ET1G
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
original
封装类型
SOT-23-3
其他属性
安装类型
标准
描述
60v 260mA MOSFET晶体管
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
SOT-23-3
类型
MOSFET
工作环境温度
-55 °C至150 °C
系列
晶体管
D/C
新建
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
260mA
操作温度
-55°C to 150°C
安装方式
表面贴片封装
IGBT 类型
标准
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
标准
晶体管类型
标准
最小起订量
1 Pcs
质量
100% 品牌100%
包装
SOT-23-3
更多细节
MOSFET晶体管
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 5000 | > 5000 |
| 美国东部时间（天） | 1 | 待定 |
定制
外包裝定制
最小起订量: 1000
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