集成电路分立半导体产品晶体管单fet 8-SOFL NTMFS5C430NLT3G NTMFS5C430NLT1G
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重要属性
行业属性
型号
NTMFS5C430NLT1G
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
original brand
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
表面贴装
描述
IC 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
8-倾角 (0.300 7.62mm)
类型
单fet mosfet
工作环境温度
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
系列
-
D/C
2023 +
相似属性可替代料号
NTMFS5C430NLT3G
操作温度
-55 °C ~ 175 °C(TJ)
安装方式
表面贴片封装
FET 类型
单fet mosfet
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
200A(Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.5mOhm @ 50A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
70 nC @ 10 V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
4300 pF @ 20 V
响应频率(Hz)
3.8W(Ta),110W(Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V,10V
Vgs（最大值）
±20V
晶体管类型
单fet mosfet
FET类型
N通道
技术
MOSFET (金属氧化物)
漏源极电压 (Vdss)
40V
电流-连续消耗 (Id) @ 25 °C
200A (Tc)
驱动电压 (最大Rds On，最小Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250uA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
± 20V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
4300 pF @ 20 V
包装和发货信息
Packaging Details
托盘/切割胶带
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
0.01X0.01X0.01 厘米
单品毛重：
0.010 公斤
供应能力
供应能力
20000 件 per Week
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 6000 | 6001 - 9000 | 9001 - 12000 | > 12000 |
| 美国东部时间（天） | 1 | 3 | 7 | 待定 |
定制
LOGO定制
最小起订量: 5000000
外包裝定制
最小起订量: 5000000
图案定制
最小起订量: 5000000
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